首页> 外文OA文献 >Correlation-driven insulator-metal transition in near-ideal vanadium dioxide films
【2h】

Correlation-driven insulator-metal transition in near-ideal vanadium dioxide films

机译:相对驱动的绝缘体 - 金属在近理想钒中的转变   二氧化膜

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We use polarization- and temperature-dependent x-ray absorption spectroscopy,in combination with photoelectron microscopy, x-ray diffraction and electronictransport measurements, to study the driving force behind the insulator-metaltransition in VO2. We show that both the collapse of the insulating gap and theconcomitant change in crystal symmetry in homogeneously strainedsingle-crystalline VO2 films are preceded by the purely-electronic softening ofCoulomb correlations within V-V singlet dimers. This process starts 7 K (+/-0.3 K) below the transition temperature, as conventionally defined byelectronic transport and x-ray diffraction measurements, and sets the energyscale for driving the near-room-temperature insulator-metal transition in thistechnologically-promising material.
机译:我们使用与偏振和温度相关的X射线吸收光谱,结合光电子显微镜,X射线衍射和电子传输测量,来研究VO2中绝缘体-金属跃迁的驱动力。我们表明,在均匀应变的单晶VO2薄膜中,绝缘间隙的崩溃和晶体对称性的伴随变化都发生在V-V单重态二聚体内部的库仑相关性的纯电子软化之前。根据电子传输和X射线衍射测量的常规定义,此过程开始于转变温度以下7 K(+/- 0.3 K),并设置了驱动该技术有前途的材料中接近室温的绝缘体-金属转变的能级。 。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号